快速退火爐（Rapid Thermal Processing，RTP）采用紅外輻射加熱技術，可實現樣品的快速升溫和降溫，同時搭配超高精度溫度控制系統，可達到極佳的溫場均勻性，適用工藝包括和離子注入工藝結合使用以實現晶圓摻雜、金屬薄膜沉積后金屬硅化物燒結、晶圓表面改性（氧化、氮化）等。
芯片的制造過程可以分為前道工藝和后道工藝。前道是指晶圓制造廠的加工過程，在空白的硅片上完成電路的加工，出廠產品是完整的圓形硅片。后道是指封裝和測試的過程，在封測廠中將圓形的硅片切割成單獨的芯片顆粒，完成外殼的封裝，最后完成終端測試，出廠為芯片成品。
集成電路前道芯片制造工藝熱處理流程
在前道工藝的離子注入過程中，高能摻雜物離子（硼、磷等）會對晶圓表面的硅晶體結構造成破壞。所以在離子注入后必須利用加熱退火工藝對晶格的損傷進行修復，使其恢復單晶結構并激活摻雜物，當摻雜原子在單晶晶格位置時，才能有效提供電子或空穴作為傳導電流的主要載流子。
因此，快速退火爐在半導體工藝設備中是不可或缺的一員。雖然快速退火爐屬于相對技術難度較低的領域，但在早期的市場競爭中，還是被歐美日韓等外國企業占據了主導地位。尤其是高端的快速退火爐，國內科研單位和高等院校的使用需求往往被外國企業苛刻的條件和高昂的價格所限制。
以美國為首的西方國家對中國的限制打擊由來已久，96年簽訂的《瓦森納協議》已成為主要針對中國并實行“落差戰略”的可怕武器。這也是導致中國著名的“908工程”和“909工程”的未能達到預期的目標?，F今中國因為缺少原創技術，高端技術裝備也被層層加鎖。尤其是半導體行業，由于某些高端的半導體設備的限制入口，中國高端集成電路（芯片）嚴重依賴進口。根據國家統計局數據顯示，2021年，我國進口的集成電路（芯片），達到27935億元！而且增速達到了15.4%！
2015年3月5日，李克強在全國兩會上作《政府工作報告》時首次提出“中國制造2025”的宏大計劃。2015年3月25日，李克強組織召開國務院常務會議，部署加快推進實施“中國制造2025”，實現制造業升級。也正是這次國務院常務會議，審議通過了《中國制造2025》。2015年5月19日，國務院正式印發《中國制造2025》。
中國制造2025
《中國制造2025》的目的是改變我國從低端制造商到高端生產商的認知，改變我國工業水平大而不強的局面，減少中國對外國技術的依賴，最終推動中國技術制造商進入全球市場。正是在此國家行動綱領下，中國的國產化浪潮迎來了爆發期。而國內快速退火爐領域的制造商也如雨后春筍，突破了歐美日等企業的壓制，推出了趕超外國品牌的產品。這些自主研發制造的快速退火爐已經廣泛應用于國內各大高校和科院院所，實現了“國產替代”目標！
應用廣泛的國產快速退火爐
但國產退火爐想要進入全球市場還有很長的路要走！尤其是歐美等國企業并沒有放棄對中國技術制造商的圍追堵截！這些企業的手段也頗有用心！當某種設備或產品無法國產時，他們往往會以較貴的價格對華出售！這樣不僅能賺取大量的利潤，而且可以打擊某些研發者或決策者的信念！既然能用錢買到，又何必花大量的精力和金錢去研發制造？
而當我們花費大量精力和金錢研發制造出這種設備或產品時，由于技術的積累和領先，歐美等國企業會馬上以極低的價格進行傾銷，并適時推出性能參數領先新款設備或產品！這往往導致國內自主研發企業血本無歸甚至破產倒閉！這種情況，在半導體制造等高科技領域極其常見！如果沒有國家的政策和資金支持，這些手段國內幾乎沒有任何企業能承受！
當雪崩發生時，沒有一片雪花是無辜的！而當火箭一飛沖天時，沒有一個零件是無用的！完成“中國制造2025”的目標，不僅需要我國技術制造商迎難而上，挺身打破西方封鎖，而且也需要我國廣大用戶的大力支持！目前，國內優秀的快速退火爐制造商，如屹唐半導體、武漢嘉儀通科技等，已經完成了或即將完成快速退火爐系類產品的布局，這些設備的性能不僅可以媲美洋貨，而且在某些技術參數上已經領先于它們！
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